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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
🧢(撰稿:祁璐蓝)mbti中谁能给到infj最高的能量?
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